دیتاشیت 2SB649A

2SB649A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2SB649A
حجم فایل 65.529 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 1

دانلود دیتاشیت 2SB649A

2SB649A Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 2SB649A
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1.5A
  • Power Dissipation (Pd): 1W
  • Transition Frequency (fT): 140MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@150mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 10uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 160V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1V@500mA,50mA
  • Package: TO-126
  • Manufacturer: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.
  • Part id: 95820